GaSb
GaSb
锑化镓（Gallium Antimonide）是由特别的LEC方法结晶生长而成的单结晶，用于红外线探测器，红外发光二极管（LED）、激光、转换器、恒温光电系统等。
另外，以锑化镓（GaSb）为代表的III-V族化合物半导体属于直接迁移性半导体，与硅（Si）系半导体相比，具有能带隙小，近红外领域（波长0.8um-2.2um）电磁波可以转化为电力等特征。
以锑化镓为基础的太阳能芯片，虽然技术难度非常大，但是在GaSb衬底上进行的以MBE为主的II-VI族外延片研究也在进行中。
另外，以锑化镓（GaSb）为代表的III-V族化合物半导体属于直接迁移性半导体，与硅（Si）系半导体相比，具有能带隙小，近红外领域（波长0.8um-2.2um）电磁波可以转化为电力等特征。
以锑化镓为基础的太阳能芯片，虽然技术难度非常大，但是在GaSb衬底上进行的以MBE为主的II-VI族外延片研究也在进行中。
E&MGaSb
基于顾客所希望的模式，我们可以满足顾客的从少量研究开发到大量生产的各种要求。
并且提供特殊晶向(111),(110),(311)等产品。
并且提供特殊晶向(111),(110),(311)等产品。
规格
| Type/Dopant | N-type/Te, P-type/Un-doped, Zn |
| Diameter | 2 inch ~ 4 inch |
| Orientation | (100), (110), (111)～(611) For other orientation and off-orientation,please ask us. |
| Finishing | Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready For other treatment,please ask us. |
| Thickness | 2 inch: 500um, 3 inch: 625um, 4 inch：1000um For other thickness,please ask us. |
| Others | For career concentration, resistivity, mobility, it can be specified within the allowable range. |