InAs
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砷化铟作为III-V族元素化合物，是以LEC法制造而成的单结晶。
从单结晶晶棒薄切而来，在Epi ready研磨片衬底上施加外延层，从而可以被广泛利用在测量，分析等领域使用的红外探测器件。
从单结晶晶棒薄切而来，在Epi ready研磨片衬底上施加外延层，从而可以被广泛利用在测量，分析等领域使用的红外探测器件。
E&MInAs
基于顾客所希望的模式，我们可以满足顾客的从少量研究开发到大量生产的各种要求。
并且提供特殊晶向(111),(110),(311)等产品。
并且提供特殊晶向(111),(110),(311)等产品。
规格
| Type/Dopant | N-type/S, Un-doped, P-type/Zn |
| Diameter | 2 inch ~ 3 inch |
| Orientation | (100),(110),(111)～(611) For other orientation and off-orientation,please ask us. |
| Finishing | Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready For other treatment,please ask us. |
| Thickness | 2 inch: 500um, 3 inch: 625um For other thickness,please ask us. |
| Others | For career concentration, resistivity, mobility, it can be specified within the allowable range. |