InSb
InSb
锑化铟（Indium Antimonide）单结晶是III-V族化合物，闪锌矿构造的材料。
锑化铟的能带隙为0.17ev（室温）属于狭窄直接迁移型半导体，主要使用于红外线温度记录器，热成像摄像机，自动跟踪导弹等红外探测器件、霍尔元件、磁电阻效应元件等。
锑化铟的能带隙为0.17ev（室温）属于狭窄直接迁移型半导体，主要使用于红外线温度记录器，热成像摄像机，自动跟踪导弹等红外探测器件、霍尔元件、磁电阻效应元件等。
E&MInSb
基于顾客所希望的模式，我们可以满足顾客的从少量研究开发到大量生产的各种要求。
我们也可以提供特殊晶向例如 (111),(110),(311) 等产品。
我们也可以提供特殊晶向例如 (111),(110),(311) 等产品。
规格
| Growth | CZ |
| Type/Dopant | N-type/Te, Un-doped, P-type/Ge |
| Diameter | 2 inch ~ 4 inch |
| Orientation | (100),(110),(111)～(611) For other orientation and off-orientation,please ask us. |
| Finishing | Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready For other treatment,please ask us. |
| Thickness | 2 inch ：625um, 3 inch ：800/900um, 4 inch ：1000um For other thickness,please ask us. |
| Others | For career concentration, resistivity, mobility, it can be specified within the allowable range. |