硅晶圆产品
我司凭借独有的经验进行一站式加工，并提供自营品牌的各类硅晶圆产品。目前，已有多家器件制造商、大学及政府机关等客户在使用我司产品。
硅晶圆产品
硅晶圆是高纯度硅元素（Silicon）的晶圆。从被称为晶棒的圆柱状单晶硅切割成薄片而成。我们提供适用于各种用途的硅晶圆，包括虚拟晶圆（Dummy）、监控晶圆（Monitor）和高品质晶圆（Prime）。
应用
通常，芯片尺寸较大的 MPU，以及需要大量生产以降低成本的 DRAM和闪存，都会使用大口径晶圆；这些晶圆被广泛用于制造集成电路（IC/LSI）以及其他分立元件等产品。
监控片
- 监控片指正式生产前在各制程需要进行调试时使用的晶圆。
- 应用
- 在进行成膜、外延生长速率检验或测量设备对基板厚度（变化）的容许度等各工序、各类条件设定时，
会使用价格较低的监控晶圆来替代高规格、高价位的优质晶圆（Prime Wafer）。 - 特点
- 我们备有各种类型的硅晶圆，以满足广泛的需求。（尺寸范围为2～12英寸）
我们保证提供令客户满意的高品质的用于颗粒检验和工艺检测监控用途的产品。
假片
- Dummy wafer（亦被称为Test Wafer）,不同于通常使用的晶圆产品，主要指用于实验及检验等用途的晶圆。因此，Dummy wafer（Testwafer）中再生晶圆被普遍使用。
- 应用
- 既常用于提升生产设备在初期生产过程中的稳定性，也用于流转检验，加工形貌的验证。由于在实验及测试中使用较多，因此尺寸以及厚度在很多情况下很重要。
- 特点
- 我们备有各种类型的硅晶圆，以满足广泛的需求。（尺寸范围为2～12英寸）
我们保证提供令客户满意的高品质的用于颗粒检验和工艺检测监控用途的产品。
正片
- 正片是指在电阻率、平坦度及颗粒等与器件功能密切相关的参数上经过严格管控的晶圆。
- 应用
- 正片是用于制造IC芯片等的晶圆，在基板上形成电路图案并制造器件。
- 特点
- 我们主要提供 P+N+（重掺）产品，同时也可根据客户需求提供包含轻掺杂产品在内的定制规格。
（可提供的尺寸范围为 5～12 英寸）
FZ晶圆
- FZ（悬浮区熔法）是与 CZ 法不同的一种单晶硅锭生长方法。
- 应用
- FZ晶圆的用途主要有MEMS，二极管，IGBT，RF设备，Thyristor（整流器），高效率太阳电池以及光学产品等。
- 特点
- 我们提供用于高频、MEMS、功率器件等领域的中子辐照 NTD 晶圆和杂质掺杂 GDFZ 硅晶圆。
我们可满足从研发到量产的各种需求。（可提供的尺寸范围为 5～8 英寸）
外延片
- 外延（Epitaxial growth）是指在基板结晶上进行生长结晶，与最下面的基板结晶面整齐排列进行生长。
- 应用
- 硅外延晶圆被广泛用于二极管、晶体管等器件，以及双极型和MOS型集成电路（IC）的制造中。
- 特点
- 我们提供高品质的定制外延晶圆。
| 厚度 | 电阻率 | |
|---|---|---|
|
N型外延 |
||
| Sb・As・Phos
掺杂衬底 |
厚度至130µm | 电阻率0.01-100Ω.cm |
|
P型外延 |
||
| Boron掺杂衬底 | 厚度至130µm | 电阻率0.01-100Ω.cm |
| 特殊外延
及多层结构 |
厚度至150μm | 电阻率可达150Ω |
镀膜片
- 在硅晶圆上进行膜层加工的产品称为镀膜晶圆。
- 应用
- 在晶圆的薄膜生长过程中，除了作为层间绝缘材料的绝缘膜和作为导电材料的金属膜之外，还包括光刻胶等工艺材料以及保护膜等。
- 特点
- 提供金属膜，热氧化膜等，各种成膜。(大小 2-12寸)
(参考例)- 热氧化膜,Si3N4膜,TEOS,BPSG,Cu膜,Al膜,Ti膜,Ta膜,TaN膜,TiN膜等。
- 光刻加工方面，既可使用贵公司自主制作的掩膜，也可使用标准掩膜进行图案加工。
其他、特殊片
- 特点
- 针对研究用途，我们提供少量定制的特殊规格晶圆，如厚度100μm的晶圆、特殊晶面取向、LM加工晶圆以及角晶圆等。（尺寸和规格可根据需求协商）