III-V族化合物晶圆片
III-V族化合物晶圆片
III-V族化合物半导体是使用III族元素与V族元素的半导体，代表性的III族元素有铝（Al）、镓（Ga）、铟（In），代表性的V族元素有氮素（N）、磷（P）、砷（As）和锑（Sb）等。
另外，V族元素并使用氮素的GaN（氮化镓）、AlN（氮化铝）、InN（氮化铟）等则被称为氮化物半导体。
III-V族化合物半导体的大多数都是直接迁移型半导体，因此在发光二极管（LED）以及激光二极管（LD）等发光元件中广泛使用。
另外，具有与硅材料（Si）不同的能带隙，也被用在光电二极管等受光元件中。
再者，因其高速性的特点，手机及无线光缆的高周波回路功率放大器，开关等电子设备中也被广泛应用，属于活跃在我们身边的材料。