AlN
AlN
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氮化铝（aluminum nitride）单结晶衬底作为高功率、高周波电子元件和深紫外线发光元件备受期待。
使用氮化铝（AlN）结晶做衬底，等同于同质外延的生长就会形成，从而起到较低程度上抑制积累起来的氮化铝结晶缺陷密度的作用。
现在，蓝宝石等用于氮化合物半导体的衬底。作为紫外线发光器件用途的衬底材料，从格子不整合以及紫外线通过度的观点可以发现，单结晶是最优秀的衬底片候选。
但是由于氮化铝单结晶衬底熔点高，高温时的解离压较高的缘故，从熔液来制作单结晶则很困难。 
E&MAlN
蓝色-深紫外线激光、功率电子元件开发用途的最先端材料，大体积氮化铝衬底片从2006年开始使用。
虽然仍然属于研究开发产品，我们销售以直径22.5mm/25mm形状为中心的单结晶AlN衬底。（非样板（template）商品）
【主要用途】
- UV LED/LD、电子雪崩PD、其他传感器、功率电子器件、散热器等
【生长方法】
- 物理气相输送法（Physical Vapor Transport:PVT）
- 升华/AlN粉末种晶再结晶
（Sublimation/Seeded-recrystallization of AlN powder ）
规格
| Diameter | 22.5～50mm |
| Thickness | 500±50um |
| Orientation | (0001)±1.0° |
| Finishing | Al face：CMP (RMS <0.8nm) N face：optical (RMS <3nm) |
Absorption coefficient |
<30cm-1 |
| XRD | FWHM (002)：<0.3° FWHM (102)：<0.5° |
| EPD | <106cm-2 |
| Effective area | >80% |
| Edge exclusion area | 1.0mm |