硅-硅贴合晶圆片
硅-硅贴合晶圆片
硅晶圆片与硅晶圆片（高电阻硅晶圆片与低电阻硅晶圆片）直接粘合在一起，就可以形成代替外延片的晶圆片。
其特征为，因为是直接将晶圆片粘合在一起，所以晶圆片的结合界面的自动掺杂就很难发生，相比堆积厚外延层，因厚度而异，可以起到消减成本的作用。
制造方法是将两片硅晶圆片粘合在一起，然后研磨Device层至要求厚度。Si-Si键合晶圆片（Si-Si粘合而成的晶圆片），相比起在功能器件、PIN二极管等用途中使用的厚膜外延层，因其成本低廉所以成为有用的代替品。
制造方法是将两片硅晶圆片粘合在一起，然后研磨Device层至要求厚度。Si-Si键合晶圆片（Si-Si粘合而成的晶圆片），相比起在功能器件、PIN二极管等用途中使用的厚膜外延层，因其成本低廉所以成为有用的代替品。