特制SOI
特制SOI
规格可按您的要求订作。
可提供以下规格，请您询问。
- 【Device层】
- 厚度 : 最薄至1.5um
- 【Box层(热氧化膜)】
- 可直接加工贴制上限为4um的氧化膜。
- 也可制作4um的氧化膜。
- 例: 5um(1um+4um)氧化膜贴合。
- 【关于4um以上的氧化膜】
可进行5um(1um+4um)的贴合。但是，氧化膜间贴合(SiO2+SiO2)强度并不比硅和氧化膜贴合强。
- 【Handle层】
- 我们可以向您提供厚度上限为300um的研磨。
- 例 : Handle层325um->150um研磨*
- * SOI晶圆片按总厚度测定。允许误差可小至+/-2um。
- 【Handle层的底面研磨】
- 可进行底面研磨。
- 按SOI晶圆片的总厚度测定。
- * 还可按照您的各种要求进行Device层研磨。
- 【Field氧化膜等制膜加工】
- 可在SOI晶圆片的表面进行Field氧化膜的制膜加工。
- 其他氮化膜，金属膜的制膜加工。
- 【贴合强度】
- 可制作Device层和Box层贴合强度较弱的SOI晶圆片。
- 【贴合强度较弱的SOI晶圆片】
- 可特别制作贴合界面的粘合强度较弱的SOI晶圆片。
- 【ICEMOS TECHNOLOGY标准规格】
- 大小: 4寸,5寸,6寸,8寸
- http://www.icemostech.com/soi-wafers.html