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化合物ウェハ 取り扱い製品

WAFER TECHNOLOGY社について

  • 弊社は 英国WAFER TECHNOLOGY社 の日本総代理店として、高品質の製品をご希望の仕様にて少量から ご提供致しております。
  • 小口径(2インチ～)からご対応可能でございますのでどうぞご希望の仕様をお申し付け下さい。
  • WAFER TECHNOLOGY社ホームページ
  • http://www.wafertech.co.uk/

取り扱い製品

Ⅲ-Ⅴ族単結晶ウェハ

GaAs

  • E&MのGaAsウェハの特長

お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。


製法 VGF
タイプ N型/Si, P型/Zn, 半絶縁/Un-doped
直径 2インチ-3インチ
面方位 (100)・(110)・(111)～(611)　その他オフなども可能
仕上げ 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、
その他仕上げも可能
厚み 2インチ：350/500um, 3インチ：625um
その他厚みもご相談に応じます
その他 キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能

製品詳細

InP

  • E&MのInPウェハの特長

お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。


製法 LEC
タイプ N型/Sn,Fe,S,Un-doped, P型/Zn
直径 2インチ
面方位 (100)・(110)・(111)～(611)　その他オフなども可能
仕上げ 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、
その他仕上げも可能
厚み 2インチ：350/500um, その他厚みもご相談に応じます
その他 キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能

製品詳細

GaSb

  • E&MのGaSbウェハの特長

お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。


製法 LEC
タイプ N型/Te, P型/Zn,Un-doped
直径 2インチ-4インチ
面方位 (100)・(110)・(111)～(611)　その他オフなども可能
仕上げ 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、
その他仕上げも可能
厚み 2インチ：500um, 3インチ：625um, 4インチ：1000um
その他厚みもご相談に応じます
その他 キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能

製品詳細

InAs

  • E&MのInAsウェハの特長

お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。


製法 LEC
タイプ N型/S,Un-doped, P型/Zn
直径 2インチ～3インチ
面方位 (100)・(110)・(111)～(611)　その他オフなども可能
仕上げ 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、
その他仕上げも可能
厚み 2インチ：500um, 3インチ：625um
その他厚みもご相談に応じます
その他 キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能

製品詳細

InSb

  • E&MのInSbウェハの特長

お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。


製法 CZ
タイプ N型/Te,Un-doped, P型/Ge
直径 2インチ-4インチ
面方位 (100)・(110)・(111)～(611)　その他オフなども可能
仕上げ 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、
その他仕上げも可能
厚み 2インチ：625um, 3インチ：800/900um, 4インチ：1000um
その他厚みもご相談に応じます
その他 キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能

製品詳細

その他化合物ウェハ

AlN

AIN 窒化アルミ単結晶基盤 (Alminium Nitride) 窒化アルミニウム
  • E&MのAlN窒化アルミ単結晶基板ウェハの特長

青色～深紫外のレーザー、パワー電子デバイス開発用途の最先端材料、バルク窒化アルミ単結晶基板を2006年度より取り扱っております。
研究開発商品(research-grade)ではございますが、直径22.5mm/25mmφ形状を中心に単結晶のAlN基板を販売しております。
（※テンプレート品ではございません）


  • 【主なアプリケーション】
  • UV LED/LD、アバランチPD、その他センサー、パワー電子デバイス、ヒートシンク等

  • 【成長方法】
  • Physical Vapor Transport（PVT）（物理的気相輸送法）
  • Sublimation/Seeded-recrystallization of AlN powder　
    （昇華/シード　AlN粉末より再結晶化）

  • 【標準スペック】
直径 22.5～50mm
厚み 500±50um
面方位 (0001)±1.0°
仕上げ Al face：CMP (RMS <0.8nm)
N face：optical (RMS <3nm)
吸収係数 <30cm-1
XRD FWHM (002)：<0.3°
FWHM (102)：<0.5°
EPD <106cm-2
有効面積 >80%
エッジ排除領域 1.0mm
※計画上の目標であり、保証規格ではございません。 最新在庫リスト ご連絡頂ければご紹介させて頂きます。

製品詳細

GaP

  • E&MのGaPリン化ガリウム単結晶基板ウェハの特長
  • 2inchと3inchのリン化ガリウム単結晶基板を取り扱っております。
  • 標準的なスペックを下記にて記載しております。

  • 【主なアプリケーション】
  • 光デバイス ：可視光LEDとしての各種の表示素子 （赤・緑）や液晶バックライト用（黄・緑）　等

  • 【成長方法】
  • LEC法　（液体封止チョクラルスキー法）

  • 【標準スペック】
タイプ N型/S,Si, P型/Zn * Un-dopedも取り扱い可
直径 2インチ-3インチ
面方位 (100), (111), (110) その他特殊面方位やオフなども可能
仕上げ 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、アズカット
厚み 250-1000um
キャリア濃度 (1-10)E18cm-3
EPD <1E5cm-2
  • 【その他】
  • ※詳細スペックに関しましては、別途お問い合わせ願います。

製品詳細

Al2O3(サファイア)

Al2O3 合成単結晶サファイア基板
  • E&MのAl2O3合成単結晶サファイア基板ウェハの特長

サファイア基板は低誘電率と結晶特性によって優れた素材です。
2インチ,3インチ,4インチのエピレディ基板,標準方位品及び顧客仕様の
(オフ方位品,両面研摩,各種厚み)商品をご提供致します。


  • 【主なアプリケーション】
  • 青色LED 用途（青、白、緑、紫LED）　 窒化ガリウム結晶成長用基板　等

  • 【標準スペック(2インチ)】
直径 2インチ-4インチ
面方位 C(0001)0.2off±0.1°to m-axis
OF方位 (11-20)±0.3°
OF長さ 2インチ：16±0.5mm, 4インチ：30±1.0mm
厚み 2インチ：430um, 4インチ：650um
仕上げ 片面鏡面研磨
Bow ≦10um (2インチ)
TTV ≦10um (2インチ)
※詳細スペックに関しましては、別途お問い合わせ願います。

製品詳細

Ⅱ-Ⅵ族単結晶ウェハ、その他

Ⅱ-Ⅵ族等、その他
  • 【取り扱い商品一覧 】

CdSe（セレン化カドミウム単結晶）
CdS（硫化カドミウム単結晶）
ZnSe（セレン化亜鉛単結晶）
ZnTe（テルル化亜鉛単結晶）
ZnS（硫化亜鉛単結晶）

最新在庫リスト ご連絡頂ければご紹介させて頂きます。

製品詳細

SiC

  • E&MのSiCウェハの特長

様々な用途向けに2～4インチのSiCウェハをご提供致しております。

※SiCエピウェハも取扱可能

製品詳細

GaN

  • E&MのGaNウェハの特長

LED, LD, 電子デバイス用途向けに高品質GaNバルク基板を取り扱っております。

  • サイズ：～2インチ

※GaNエピウェハも取扱可能

製品詳細

Ge

  • E&MのGeウェハの特長

赤外、太陽電池、検出器などの用途向けに 2～4インチのGe(ゲルマニウム)ウェハをご提供致しております。

製品詳細

酸化物

  • E&Mの酸化物ウェハの特長

各種酸化物単結晶ウェハをご提供致しております。

  • MgO(酸化マグネシウム), SrTiO3(チタン酸ストロンチウム), ZnO(酸化亜鉛) など

製品詳細

エピウェハ

化合物エピウェハ

  • E&Mの化合物エピウェハの特長
化合物エピウェハ

弊社では各種化合物系エピタキシャルウェハを取り扱っております。

＜電子デバイス用途＞

  • HBT, pHEMT, BiFET, BiHEMT など
＜オプトデバイス用途＞
  • VCSEL, LD, PIN, APD, LED, マルチ接合太陽電池 など
    化合物エピウェハ

製品詳細

液相成長受託加工

化合物半導体の受託加工サービス（Trial products Assist Service）

E&Mでは、研究開発部門の基礎的な実験や、ちょっとした試作を短期間で作りたいと言ったものや、本格的な試作実験の前にどんな問題点があるかをちょっと“味見”したいと言ったニーズのお手伝いが出来る様、“何でもあり”の設備と技術を自前で揃えております。

結晶成長については液相成長（LPE）であり、専用の結晶成長ボートを設計・製作する事でMax ２inまで対応できます。
プロセス設備は、スパッター、コンタクトアライナー、プラズマエッチャーです。

下表に、対応可能プロセスとスペックについて一覧表にしましたので、研究開発や試作についてご相談下さい。

LPE装置PA

製品詳細