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化合物晶圆片产品

WAFER TECHNOLOGY公司

  • 本公司为英国WAFER TECHNOLOGY公司日本总代理店，可以按照您希望的模式，提供高品质产品(可少量订做)。
  • 可对应小口径到大口径产品，请您联系我们。
  • WAFER TECHNOLOGY公司主页:
  • http://www.wafertech.co.uk/

产品

III-V族化合物晶圆片

GaAs

基于顾客所希望的模式，我们可以满足顾客的从少量研究开发到大量生产的各种要求。 并且提供特殊晶向 (111),(110),(311) 等产品。


Growth VGF
Type/Dopant N-type/Si/Te, P-type/Zn, Semi-Insulating/Un-doped
Diameter 2 inch ~ 3 inch
Orientation (100), (110), (111)~(611)
For other orientation and off-orientation,please ask us.
Finish Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready
For other treatment,please ask us.
Thickness 2 inch: 350or500um, 3 inch: 625um
Others For career concentration, resistivity, mobility, it can be specified within the allowable range.

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InP

基于顾客所希望的模式，我们可以满足顾客的从少量研究开发到大量生产的各种要求。 并且提供特殊晶向(111),(110),(311)等产品。


Growth LEC
Type/Dopant N-type/S/Sn/Un-doped, P-type/Zn, Semi-Insulating/Fe
Diameter 2 inch
Orientation (100), (110), (111)~(611) 
For other orientation and off-orientation,please ask us.
Finish Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready
For other treatment,please ask us.
Thickness 2 inch: 350or500um
For other thickness,please ask us.
Others For career concentration, resistivity, mobility, it can be specified within the allowable range.

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GaSb

基于顾客所希望的模式，我们可以满足顾客的从少量研究开发到大量生产的各种要求。 并且提供特殊晶向(111),(110),(311)等产品。


Type/Dopant N-type/Te, P-type/Un-doped, Zn
Diameter 2 inch ~ 4 inch
Orientation (100), (110), (111)～(611)
For other orientation and off-orientation,please ask us.
Finishing Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready
For other treatment,please ask us.
Thickness 2 inch: 500um, 3 inch: 625um, 4 inch：1000um
For other thickness,please ask us.
Others For career concentration, resistivity, mobility, it can be specified within the allowable range.

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InAs

基于顾客所希望的模式，我们可以满足顾客的从少量研究开发到大量生产的各种要求。 并且提供特殊晶向(111),(110),(311)等产品。


Type/Dopant N-type/S, Un-doped, P-type/Zn
Diameter 2 inch ~ 3 inch
Orientation (100),(110),(111)～(611) 
For other orientation and off-orientation,please ask us.
Finishing Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready For other treatment,please ask us.
Thickness 2 inch: 500um, 3 inch: 625um
For other thickness,please ask us.
Others For career concentration, resistivity, mobility, it can be specified within the allowable range.

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InSb

基于顾客所希望的模式，我们可以满足顾客的从少量研究开发到大量生产的各种要求。 并且提供特殊晶向(111),(110),(311)等产品。


Growth CZ
Type/Dopant N-type/Te, Un-doped, P-type/Ge
Diameter 2 inch ~ 4 inch
Orientation (100),(110),(111)～(611)
For other orientation and off-orientation,please ask us.
Finishing Single side mirror polished, Double sides mirror polished, Epi-ready
For other treatment,please ask us.
Thickness 2 inch ：625um, 3 inch ：800/900um, 4 inch ：1000um
For other thickness,please ask us.
Others For career concentration, resistivity, mobility, it can be specified within the allowable range.

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其他化合物晶圆片

AlN

AIN 窒化アルミ単結晶基盤 (Alminium Nitride) 窒化アルミニウム

蓝色-深紫外线激光、功率电子元件开发用途的最先端材料，大体积氮化铝衬底片从2006年开始使用。
虽然仍然属于研究开发产品，我们销售以直径22.5mm/25mm形状为中心的单结晶AlN衬底。
（非样板（template）商品）


  • 【主要用途】
  • UV LED/LD、电子雪崩PD、其他传感器、功率电子器件、散热器等

  • 【生长方法】
  • 物理气相输送法（Physical Vapor Transport:PVT）
  • 升华/AlN粉末种晶再结晶
    （Sublimation/Seeded-recrystallization of AlN powder）

  • 【標準规格】
Diameter 22.5～50mm
Thickness 500±50um
Orientation (0001)±1.0°
Finishing Al face：CMP (RMS <0.8nm)
N face：optical (RMS <3nm)

Absorption coefficient

 <30cm-1
XRD FWHM (002)：<0.3°
FWHM (102)：<0.5°
EPD <106cm-2
Effective area >80%
Edge exclusion area 1.0mm
仅作为计划目标非保证规格。请联系我们获取最新库存表。

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GaP

  • 提供2寸和3寸的GaP单晶圆片。
  • 标准规格如下所示。

  • 【用途】
  • 可见光LED各种表示元件(红色/绿色)和液晶背光(黄色/绿色)用等等

  • 【制造方法】
  • LEC

  • 【标准式样】
Type/Dopant N-type/S/Si, P-type/Z/Un-doped
Diameter 2inch-3inch
Orientation (100), (111), (110)
For other orientation and off-orientation,please ask us.
Finishing Ga surface,P surface,As cut,polished
Thickness 250-1000um
Career concentration (1-10)E18cm-3
EPD <1E5cm-2
  • 【Others】
  • * 请咨询我们获取具体规格

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Al2O3

Al2O3

具有低电容结晶特性的优质材料。提供2寸，3寸，4寸Epi-ready片和标准晶向片及客户订制(off晶向，双面研磨，各种厚度)产品。


  • 【用途】
  • 蓝色LED用途(蓝,白,绿,紫LED) GaN结晶生长用基板等

  • 【标准式样(2寸)】
Diameter 2 inch ~ 4 inch
Orientation C(0001)0.2off±0.1°to m-axis
OF direction (11-20)±0.3°
OF length 2inch：16±0.5mm, 4inch：30±1.0mm
Thickness 2inch：430um, 4inch：650um
Finish One side epi polished
Bow ≦10um (2inch)
TTV ≦10um (2inch)
* 请咨询我们获取具体规格

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Ⅱ-Ⅳ族等，其他

Ⅱ-Ⅳ族等，其他
  • 【产品一览】

CdSe
CdS
ZnSe
ZnTe
ZnO
SrTiO3
MgO
SiC(4H,6H) 晶圆片
Ge晶圆片

* 请咨询我们获取具体规格

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