电介体分离晶圆片
电介体分离晶圆片
通过对SOI晶片的trench和多晶硅refill加工，从而使诱电体分离晶圆片的制作成为可能。
诱电体分离晶片的的正式名称为DIW:Dielectric Isolated Wafer。在同一芯片上可以完全分离高电压成分。
诱电体分离晶片的分离是通过最新高纵横比deep trench酸腐蚀以及酸化/多晶硅refill结合而成的厚膜SOI技术来实现的。
该技术可以在100mm到150mm尺寸范围的所有晶圆片，以及2um到90um的silicon device层上使用。