Ⅲ-Ⅴ族単結晶ウェハ
Ⅲ-Ⅴ族単結晶ウェハとは
Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体は、III族元素とV族元素を用いた半導体であり、代表的なIII族元素としてはアルミニウム(Al)・ガリウム(Ga)・インジウム(In)、V族元素としては窒素(N)・リン(P)・ヒ素(As)・アンチモン(Sb)があります。
また、V族元素として窒素を用いたGaN（窒化ガリウム）、AlN（窒化アルミニウム）、InN（窒化インジウム)等を特に窒化物半導体と呼んでいます。
Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体の多くが直接遷移型の半導体のため、発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)などの発光素子に用いられます。
また、シリコン(Si)とは異なるバンドギャップを有し、フォトダイオードといった受光素子にも使用されます。
また、高速性により携帯電話や無線LANの高周波回路用パワーアンプやスイッチなどの電子デバイスにも広く応用されており、身近なところで活躍している材料です。