GaAs
GaAsとは
ヒ化ガリウム（Gallium Arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsとして表記され、半導体素子の材料として多用されています。
半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）の名称で呼ばれることが多く、ガリヒ素という俗称も広く使用されています。
シリコンに比べ高価で加工が難しいデメリットがありますが、高速動作機能を持ち、また消費電力も約3分の1と少ないため小型化が容易という特徴があります。
近年では、加工技術の進歩などでGaAsデバイスも安価で供給されるようになってきており、携帯電話など小型で高周波特性が要求される用途やLED用途、レーザー用途を中心に広く普及しています
E&MのGaAsウェハの特長
お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。
スペック
| 製法 | VGF |
| タイプ | N型/Si, P型/Zn, 半絶縁/Un-doped |
| 直径 | 2インチ-3インチ |
| 面方位 | (100)・(110)・(111)～(611) その他オフなども可能 |
| 仕上げ | 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、 その他仕上げも可能 |
| 厚み | 2インチ：350/500um, 3インチ：625um その他厚みもご相談に応じます |
| その他 | キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能 |