SOIウェハ
SOIウェハとは
SOI基板とは，Si基板と表面Si層の間にSiO2を挿入した構造の基板であります。
トランジスタの寄生容量を減らせるので，動作速度向上と消費電力削減に効果があります。
従来の集積回路上では、素子間分離をPN接合の逆バイアスによって形成しますが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、信号の遅延やサブストレートへのリーク電流が発生していました。
この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIです。
また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン（バルクウエハ）と呼ばれる場合があります。