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AlN

AlNとは

AlNとは窒化アルミニウム（ちっかアルミニウム,aluminum nitride,）のことであり、窒化アルミ単結晶基板は高効率・高周波電子デバイスや深紫外発光素子として期待されています。

窒化アルミニウム（AlN）結晶を基板として用いれば，準ホモエピタキシャル成長ができるため，積層した窒化物結晶の欠陥密度を低く抑えることができます。

現在，窒化物半導体用基板としては，サファイア，などが挙げられますが，紫外発光素子用基板材料として，格子不整合および紫外線透過能の観点から，単結晶が最良の基板候補であることが分かります。

しかしながら，窒化アルミ単結晶基板は，融点が高く，高温では解離圧が高いため，融液から単結晶を作製することは困難です。

AIN

E&MのAlN窒化アルミ単結晶基板ウェハの特長

青色～深紫外のレーザー、パワー電子デバイス開発用途の最先端材料、バルク窒化アルミ単結晶基板を2006年度より取り扱っております。
研究開発商品(research-grade)ではございますが、直径22.5mm/25mmφ形状を中心に単結晶のAlN基板を販売しております。
（※テンプレート品ではございません）

【主なアプリケーション】

  • UV LED/LD、アバランチPD、その他センサー、パワー電子デバイス、ヒートシンク等

【成長方法】

  • Physical Vapor Transport（PVT）（物理的気相輸送法）
  • Sublimation/Seeded-recrystallization of AlN powder　
    （昇華/シード　AlN粉末より再結晶化）

スペック

直径 22.5～50mm
厚み 500±50um
面方位 (0001)±1.0°
仕上げ Al face：CMP (RMS <0.8nm)
N face：optical (RMS <3nm)
吸収係数 <30cm-1
XRD FWHM (002)：<0.3°
FWHM (102)：<0.5°
EPD <106cm-2
有効面積 >80%
エッジ排除領域 1.0mm