InP
InPとは
リン化インジウム（リンかインジウム、Indium Phosphide）、別名インジウム燐（インジウムりん）はインジウムとリンの化合物です。
InP単結晶基板は、GaAsやGaPに比べると大きな格子定数を有するため、基板に格子整合する（格子定数が同じとなる）InGaAs、AlInAs、InGaAsP、AlGAlNAsといった材料をエピタキシャル成長することが可能となります。
これらの材料を組み合わせることで、光通信用の受発光デバイスや、超高速トランジスタ、共鳴トンネリングダイオードなどの作成が可能となります。
InP単結晶基板は、GaAsやGaPに比べると大きな格子定数を有するため、基板に格子整合する（格子定数が同じとなる）InGaAs、AlInAs、InGaAsP、AlGAlNAsといった材料をエピタキシャル成長することが可能となります。
これらの材料を組み合わせることで、光通信用の受発光デバイスや、超高速トランジスタ、共鳴トンネリングダイオードなどの作成が可能となります。
E&MのInPウェハの特長
お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。
スペック
| 製法 | LEC |
| タイプ | N型/Sn,Fe,S,Un-doped, P型/Zn |
| 直径 | 2インチ |
| 面方位 | (100)・(110)・(111)～(611) その他オフなども可能 |
| 仕上げ | 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、 その他仕上げも可能 |
| 厚み | 2インチ：350/500um, その他厚みもご相談に応じます |
| その他 | キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能 |