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InAs

InAsとは

IIIーV族元素化合物であるInAs ( Indium Arsenide)、インジウム砒素はLEC法によって単結晶が作られる。

単結晶インゴットから薄くスライスされ、EPI ready 研磨されたウエハー基板はエピタキシャル層を施すことにより、赤外線検出素子として計測・分析などの分野に幅広く利用されています。　

E&MのInAsウェハの特長

お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。

スペック

製法 LEC
タイプ N型/S,Un-doped, P型/Zn
直径 2インチ-3インチ
面方位 (100)・(110)・(111)～(611)　その他オフなども可能
仕上げ 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、
その他仕上げも可能
厚み 2インチ：500um, 3インチ：625um
その他厚みもご相談に応じます
その他 キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能