エピウェハ
エピウェハとは
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エピとはエピタキシャル成長の略であり、基板となっている結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板結晶面に揃えて配列する成長を意味します。
基板と同じ物質が成長される場合をホモエピタキシャル、異なる物質の場合はヘテロエピタキシャルと呼び、エピタキシャル成長により単結晶薄膜を形成した基板ウェハを一般的にエピウェハと呼びます。
シリコンエピウェハは、ダイオードやトランジスタなどの素子やバイポーラ型およびMOS型のIC用基板に利用されています。
また、多層エピウェハや厚膜エピウェハはパワーデバイスに多く用いられ、様々な電源製品の小型化・省エネ化に貢献しています。 
E&Mのエピウェハの特長
高品質なカスタムエピタキシャルウェハをご提供致しております。
スペック
| 厚み | 抵抗率 | |
| Nタイプエピ | ||
| Sb・Asドープサブ | 130μmまで | 0.01-80Ω |
| Pタイプエピ | ||
| Bドープサブ | 130μmまで | 0.01-80Ω |
| 特殊エピ及びマルチ層 | 150μmまで | 150Ωまで |