液相成長受託加工
液相成長とは
液相エピタキシャル成長(Liquid Phase Epitaxy, LPE)は、気相成長法、分子線エピタキシー法などと並ぶエピタキシャル成長法の一つです。
液相エピタキシャル成長は溶液により左右されるため、他の製法に比べて制御が難しいと言われています。
なお、液相エピタキシャル成長には、傾斜法、ディップ法、スライドボート法などの方法があります。
化合物半導体の受託加工サービス（Trial products Assist Service）
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E&Mでは、研究開発部門の基礎的な実験や、ちょっとした試作を短期間で作りたいと言ったものや、本格的な試作実験の前にどんな問題点があるかをちょっと“味見”したいと言ったニーズのお手伝いが出来る様、“何でもあり”の設備と技術を自前で揃えております。
結晶成長については液相成長（LPE）であり、専用の結晶成長ボートを設計・製作する事でMax ２inまで対応できます。
プロセス設備は、スパッター、コンタクトアライナー、プラズマエッチャーです。下表に、対応可能プロセスとスペックについて一覧表にしましたので、研究開発や試作についてご相談下さい。
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LPE装置
プラズマエッチャー・アッシャー
対応可能プロセスとスペック
| 工程 | 保有設備 | 最大ウェハ径 | 仕様 | 備考 |
|---|---|---|---|---|
| 結晶成長 | 液相成長(LPE) | 2インチ | GaAs、AlGaAs系 | 現有ポートは2×4㎠ 単層膜成長用 |
| 成膜 | スパッター | 3インチ | SiO2、Si3N4、ZnO、Ti、Pd、Ni、Pt、Cr、Al、Ag、Au | その他はターゲット購入が必要 |
| 写真製版 | コンタクトアライナー | 2インチ | 最小線幅約10μm | |
| ドライエッチング | プラズマエッチャー プラズマアッシャー |
4インチ | SiO2、SiN | CF4ガス使用 O2ガス使用 |