FZウェハ

FZウェハとは

FZは浮遊帯(Floating Zone)を意味し、FZ法はCZ法とは異なる単結晶インゴット成長方法を指します。 FZ法は、棒状多結晶シリコンの下に種結晶をつけ、誘導加熱で種結晶と多結晶シリコンの境界あたりを融解し単結晶化していく方法です。 この製法の特長からFZウェハは、高純度でかつ炭素及び酸素の不純度が極めて低いウェハであります。 結晶の半径方向の抵抗率分布のばらつきを抑えるために中性子照射(NTD)されるものもあります。 FZウェハの用途として、MEMS、ダイオード、IGBT、RFデバイス、サイリスタ(整流器)、高効率の太陽電池、光学製品などが挙げられます。

高周波ICやMEMS向けを始めとして、パワーデバイス、太陽電池向けなどに中性子照射した NTDウェハや不純物ドーピングしたFZシリコンウェハをご提供致しております。
研究開発から量産まで幅広くご対応させて頂いております。