Si-Siボンディングウェハ
Si-Siボンディングウェハとは
シリコンウェハどうし（高抵抗のシリコンウェハと低抵抗のシリコンウェハ等）を直接貼り合せることで、エピタキシャルウェハの代わりとなりうるウェハ作成が可能です。
特徴としては、ウェハを直接貼り合せているため、ウェハの接着界面のオートドーピングが起きにくく、厚みによっては厚いエピ層を積むよりもコスト削減につながります。
作成方法は2つのシリコンウェハを貼り合せデバイス層をターゲットの厚みまで研磨。Si-Siボンディングウェハ(Si-Si貼り合わせウェハー)は、これまでパワー・デバイスやピン・ダイオードなどのアプリケーションに使われてきた厚エピタキシャル層などと比較すると、低価格な代替品として有用とされています。
特徴としては、ウェハを直接貼り合せているため、ウェハの接着界面のオートドーピングが起きにくく、厚みによっては厚いエピ層を積むよりもコスト削減につながります。
作成方法は2つのシリコンウェハを貼り合せデバイス層をターゲットの厚みまで研磨。Si-Siボンディングウェハ(Si-Si貼り合わせウェハー)は、これまでパワー・デバイスやピン・ダイオードなどのアプリケーションに使われてきた厚エピタキシャル層などと比較すると、低価格な代替品として有用とされています。