InSb

InSbとは

InSb ( Indium Antimonide)、アンチモン化インジウム単結晶はⅢ-Ⅴ族化合物で閃亜鉛鉱構造の材料です。

InSbはバンドギャップが 0.17eV (室温)と狭い直接遷移型半導体で、主に赤外線サーモグラフィーや熱イメージングカメラ、自動追尾ミサイルなどの赤外線検出素子や、ホール素子、磁気抵抗効果素子などに使用されています。

E&MのInSbウェハの特長

お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。

スペック

製法 CZ
タイプ N型/Te,Un-doped, P型/Ge
直径 2インチ-4インチ
面方位 (100)・(110)・(111)~(611) その他オフなども可能
仕上げ 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、
その他仕上げも可能
厚み 2インチ:625um, 3インチ:800/900um, 4インチ:1000um
その他厚みもご相談に応じます
その他 キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能