InSb
InSbとは
InSb ( Indium Antimonide)、アンチモン化インジウム単結晶はⅢ-Ⅴ族化合物で閃亜鉛鉱構造の材料です。
InSbはバンドギャップが 0.17eV (室温)と狭い直接遷移型半導体で、主に赤外線サーモグラフィーや熱イメージングカメラ、自動追尾ミサイルなどの赤外線検出素子や、ホール素子、磁気抵抗効果素子などに使用されています。
InSbはバンドギャップが 0.17eV (室温)と狭い直接遷移型半導体で、主に赤外線サーモグラフィーや熱イメージングカメラ、自動追尾ミサイルなどの赤外線検出素子や、ホール素子、磁気抵抗効果素子などに使用されています。
E&MのInSbウェハの特長
お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。
スペック
| 製法 | CZ |
| タイプ | N型/Te,Un-doped, P型/Ge |
| 直径 | 2インチ-4インチ |
| 面方位 | (100)・(110)・(111)～(611) その他オフなども可能 |
| 仕上げ | 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、 その他仕上げも可能 |
| 厚み | 2インチ：625um, 3インチ：800/900um, 4インチ：1000um その他厚みもご相談に応じます |
| その他 | キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能 |