GaSb
GaSbとは
GaSb (Gallium Antimonide)、アンチモン化ガリウムは特別なLEC法により結晶成長させた単結晶で、赤外検出器や赤外発光ダイオード(LED)、レーザー、トランジスタ、サーモ光起電システムなどに用いられています。
また、ガリウムアンチモン（GaSb）に代表されるⅢ-Ⅴ族化合物半導体は直接遷移型の半導体であり、またシリコン（Si）系半導体に比べてバンドギャップが小さく、近赤外線領域（波長0.8μm～2.2μm）の電磁波を電力に変換できる特徴があります。
GaSbベースのソーラーセルについては、技術的に非常に難しい中、GaSb基板上へのMBEによるⅡ-Ⅵ族エピの研究も行われています。
また、ガリウムアンチモン（GaSb）に代表されるⅢ-Ⅴ族化合物半導体は直接遷移型の半導体であり、またシリコン（Si）系半導体に比べてバンドギャップが小さく、近赤外線領域（波長0.8μm～2.2μm）の電磁波を電力に変換できる特徴があります。
GaSbベースのソーラーセルについては、技術的に非常に難しい中、GaSb基板上へのMBEによるⅡ-Ⅵ族エピの研究も行われています。
E&MのGaSbウェハの特長
お客様のご要望仕様に基づき、少量の研究開発から量産までお客様のニーズに応じたご対応をさせて頂きます。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。
また、特殊面方位品の(111),(110),(311)等も取り扱っております。
スペック
| 製法 | LEC |
| タイプ | N型/Te, P型/Zn,Un-doped |
| 直径 | 2インチ-4インチ |
| 面方位 | (100)・(110)・(111)～(611) その他オフなども可能 |
| 仕上げ | 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、 その他仕上げも可能 |
| 厚み | 2インチ：500um, 3インチ：625um, 4インチ：1000um その他厚みもご相談に応じます |
| その他 | キャリア濃度、抵抗率、移動度等は許容範囲内にて指定可能 |