dielectrically-isolated wafer
dielectrically-isolated waferとは
dielectrically-isolated waferは、SOI Waferトレンチ+リフィル加工により、SOI Waferへのトレンチ加工とポリシリコンリフィル加工によりdielectrically-isolated waferの作成が可能になりました。
dielectrically-isolated waferの正式名称はDIW:Dielectric Isolated Waferです、同じチップ上で高電圧成分を完全に分離することが可能です。
dielectrically-isolated waferにおける分離は最新の高アスペクト率のディープ・トレンチ・エッチングと酸化/ポリ・リフィルと合わせた厚フィルム SOI テクノロジーにより達成されます。
このテクノロジーは 100mm から 150mm のすべてのウェハー、そして 2umから 90um のシリコン・デバイス層で可能です。